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凯发半导体推出IPD IP2AB11工艺制程,丰富射频产品工艺选择

2023 2023-03-01 15:52:54

2023年2月28日,上海凯发半导体有限公司(简称“凯发半导体”)宣布,基于砷化镓(GaAs)材料的IPD(Integrated Passive Devices)集成无源器件IP2AB11工艺制程开发完成,达到量产标准。该制程具备的低成本、小型化、高Q值和高可靠性等性能优势,满足当前市场对射频前端功能不断优化的要求,从而实现如微波滤波器、功率分配器、耦合器、双工器、放大器内匹配与偏置网络等多种无源电路的小型化与高密度集成,可广泛应用于通信基站、微波和毫米波通信等应用领域。

IP2AB11工艺制程使用双层金属互连线,其中第二层金属厚度为4μm,采用有利于高频设计的空气桥工艺,可以有效减少交叉线间的耦合并降低对地寄生电容。

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IP2AB11工艺制程关键参数

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IP2AB11工艺制程横截面图

 

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IP2AB11工艺制程典型无源元器件示例图

 

随着微电子技术不断发展,电子产品对于SWaP-C(Size Weight and Power – Cost)要求日新月异,IPD技术是一种具有高Q值、低损耗特征的射频集成电路技术,既可以作为无源模块单独使用,集成到射频设备或系统中,也可以集成有源器件形成更为复杂功能模块,满足专用电路的设计需求。